近日，A股半導體設(shè)備龍頭企業(yè)中微公司（688012）因一則特殊的減持公告引發(fā)市場熱議。公司董事長兼總經(jīng)理尹志堯計劃減持不超過29萬股股份，占公司總股本的0.046%。按當前股價估算，此次減持涉及的市值約9764萬元。與常規(guī)減持不同，公告披露的減持原因顯示，尹志堯此舉系因恢復中國國籍后需依法辦理相關(guān)稅務手續(xù)。

作為半導體行業(yè)的標志性人物，尹志堯的職業(yè)生涯堪稱傳奇。1944年生于北京的他，1962年考入中國科學技術(shù)大學化學物理系，畢業(yè)后先后在蘭州煉油廠和中科院蘭州物理化學所工作。1978年攻讀北京大學化學系碩士學位后，他赴美深造，于加利福尼亞大學洛杉磯分校獲得物理化學博士學位，自此開啟在半導體領(lǐng)域的深耕之路。

在硅谷的二十年間，尹志堯先后任職于英特爾、泛林半導體和應用材料等國際頂尖企業(yè)。從工藝工程師到首席技術(shù)官，再到公司副總裁，他參與并主導了多代等離子體刻蝕機的研發(fā)，累計獲得86項美國專利和200余項國際專利，被業(yè)界譽為"微觀設(shè)備領(lǐng)域的最強大腦"，更獲評"硅谷最具成就的華人之一"。

2004年，60歲的尹志堯做出驚人決定——回國創(chuàng)業(yè)。他創(chuàng)立的中微公司迅速成長為行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，業(yè)務覆蓋高端半導體設(shè)備及泛半導體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。公司年報顯示，其等離子體刻蝕設(shè)備已應用于國際一線客戶從65納米至5納米的多條集成電路生產(chǎn)線，MOCVD設(shè)備在LED外延片生產(chǎn)領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位，新開發(fā)的LPCVD和ALD薄膜設(shè)備也已獲得批量訂單。

值得注意的是，尹志堯的國籍變更信息在年報中逐步顯現(xiàn)：2022年年報顯示其為美國國籍，2023年年報未披露國籍信息，而2024年年報則明確標注其已恢復中國國籍。此次減持公告中提及的稅務辦理需求，正是這一變更的直接結(jié)果。