三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域的布局正持續(xù)深化，其代工業(yè)務(wù)與存儲(chǔ)業(yè)務(wù)均迎來(lái)重要進(jìn)展。據(jù)行業(yè)消息，備受關(guān)注的Groq 3 LPU芯片已確定由三星電子代工生產(chǎn)，預(yù)計(jì)采用4納米工藝制造。三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁韓進(jìn)萬(wàn)透露，該芯片量產(chǎn)計(jì)劃將于今年第三季度末或第四季度初啟動(dòng)，市場(chǎng)對(duì)其需求預(yù)計(jì)在明年進(jìn)一步攀升。

韓進(jìn)萬(wàn)進(jìn)一步表示，三星與Groq的合作始于2023年英偉達(dá)收購(gòu)該企業(yè)之前，三星工程師不僅深度參與項(xiàng)目，還在LPU芯片設(shè)計(jì)階段提供了關(guān)鍵技術(shù)支持。此前，分析師郭明錤曾指出，英偉達(dá)對(duì)Groq的投資顯著提升了LPU的出貨量預(yù)期，預(yù)計(jì)2026至2027年總出貨量將達(dá)400萬(wàn)至500萬(wàn)顆。

在存儲(chǔ)領(lǐng)域，三星電子同樣動(dòng)作頻頻。據(jù)Businesskorea報(bào)道，三星已啟動(dòng)第八代高帶寬內(nèi)存（HBM5）的研發(fā)工作，其底層芯片計(jì)劃采用2納米工藝制造。對(duì)于第九代產(chǎn)品HBM5E，三星計(jì)劃在核心芯片上率先應(yīng)用基于1D（第七代10納米級(jí)）工藝的DRAM技術(shù)。三星存儲(chǔ)器開(kāi)發(fā)執(zhí)行副總裁黃相俊強(qiáng)調(diào)，隨著器件性能持續(xù)提升，公司將持續(xù)把最先進(jìn)工藝應(yīng)用于HBM系列產(chǎn)品。

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢此前分析指出，隨著AI基礎(chǔ)設(shè)施擴(kuò)張帶動(dòng)GPU需求增長(zhǎng)，HBM4市場(chǎng)有望在2026年第二季度迎來(lái)爆發(fā)。目前，三星、SK海力士和美光三大存儲(chǔ)原廠的HBM4驗(yàn)證程序已接近尾聲，其中三星憑借產(chǎn)品穩(wěn)定性優(yōu)勢(shì)，預(yù)計(jì)將率先通過(guò)驗(yàn)證。值得一提的是，三星已搶先將1c DRAM技術(shù)應(yīng)用于HBM4核心芯片，并采用自研4納米工藝制造基礎(chǔ)芯片，上月更成為首家向英偉達(dá)供應(yīng)HBM4的企業(yè)。

韓進(jìn)萬(wàn)認(rèn)為，三星HBM4基礎(chǔ)芯片采用4納米工藝制造，預(yù)示著未來(lái)市場(chǎng)對(duì)4納米工藝的需求將顯著增加。資本市場(chǎng)對(duì)三星的系列布局反應(yīng)積極，公司股價(jià)今日跳空高開(kāi)，漲幅一度擴(kuò)大至6%，本周累計(jì)漲幅已超11%，市值突破1370萬(wàn)億韓元（約合9212億美元）。