全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)近期迎來新一輪價(jià)格波動(dòng)，DRAM與NAND兩大主流產(chǎn)品呈現(xiàn)差異化走勢(shì)。根據(jù)行業(yè)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，2月份通用型DRAM產(chǎn)品均價(jià)突破13美元關(guān)口，創(chuàng)下2016年6月以來最高紀(jì)錄，而NAND閃存價(jià)格單月漲幅超過33%，延續(xù)自去年初以來的持續(xù)上漲態(tài)勢(shì)。

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce披露，PC領(lǐng)域常用的DDR4 8Gb DRAM顆粒平均交易價(jià)較上月攀升13.04%，自去年4月啟動(dòng)漲價(jià)周期以來已連續(xù)11個(gè)月保持漲勢(shì)。值得注意的是，今年第一季度該品類價(jià)格較去年第四季度暴漲110%-115%，遠(yuǎn)超此前季度38%-43%的漲幅紀(jì)錄。分析人士指出，經(jīng)過多輪價(jià)格談判，當(dāng)前現(xiàn)貨價(jià)已達(dá)到供需雙方均可接受的平衡點(diǎn)，預(yù)計(jì)3月價(jià)格將維持現(xiàn)有水平，后續(xù)漲幅將逐步收窄。

與DRAM市場(chǎng)形成對(duì)比的是，NAND閃存價(jià)格呈現(xiàn)加速上漲態(tài)勢(shì)。用于存儲(chǔ)卡和U盤的128Gb MLC顆粒本月均價(jià)達(dá)12.67美元，單月漲幅高達(dá)33.91%，創(chuàng)下連續(xù)14個(gè)月上漲的新紀(jì)錄。行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，隨著主要廠商將產(chǎn)能向3D NAND技術(shù)轉(zhuǎn)移，傳統(tǒng)SLC和MLC工藝產(chǎn)品的供應(yīng)缺口持續(xù)擴(kuò)大，成為推動(dòng)價(jià)格走高的主要因素。

驅(qū)動(dòng)本輪存儲(chǔ)芯片漲價(jià)的核心動(dòng)力來自人工智能產(chǎn)業(yè)爆發(fā)帶來的需求激增。全球主要芯片制造商紛紛調(diào)整產(chǎn)能結(jié)構(gòu)，將資源向高附加值產(chǎn)品傾斜，導(dǎo)致通用型存儲(chǔ)產(chǎn)品供應(yīng)持續(xù)緊張。市場(chǎng)觀察家認(rèn)為，這種結(jié)構(gòu)性供需失衡短期內(nèi)難以緩解，但不同產(chǎn)品類別將因技術(shù)迭代周期差異呈現(xiàn)分化走勢(shì)，其中NAND市場(chǎng)因技術(shù)升級(jí)空間較大，價(jià)格上行壓力或?qū)⒀永m(xù)至下半年。