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三星電子HBM月產(chǎn)量達17萬片晶圓 反超SK海力士成全球產(chǎn)量最高廠商

   時間:2025-12-04 01:45 來源:互聯(lián)網(wǎng)作者:顧雨柔

在人工智能技術(shù)快速發(fā)展的背景下,高帶寬存儲器(HBM)作為支撐AI算力的核心組件,正成為全球存儲芯片廠商競爭的焦點。據(jù)行業(yè)消息,三星電子近期在該領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重要突破,其HBM月產(chǎn)能已超越主要競爭對手SK海力士,達到17萬片晶圓規(guī)模。

此前長期占據(jù)市場優(yōu)勢的SK海力士,憑借為英偉達等AI巨頭穩(wěn)定供貨,在今年上半年連續(xù)兩個季度登頂全球DRAM銷售額榜首。但最新產(chǎn)能數(shù)據(jù)顯示,三星電子通過技術(shù)迭代與產(chǎn)線優(yōu)化,將HBM月產(chǎn)量從行業(yè)預(yù)估的15萬片提升至17萬片,反超SK海力士的16萬片產(chǎn)能。這一變化標志著全球HBM市場格局進入動態(tài)調(diào)整期。

盡管產(chǎn)能實現(xiàn)反超,三星電子在市場份額方面仍面臨嚴峻挑戰(zhàn)。市場研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示,今年第二季度三星在全球HBM市場的占有率僅為17%,不僅大幅落后于SK海力士的62%,也低于美光的21%。這種差距主要源于SK海力士與英偉達建立的深度供應(yīng)鏈合作,以及其產(chǎn)品在AI服務(wù)器領(lǐng)域的先發(fā)優(yōu)勢。

作為基于3D堆棧工藝的高性能存儲器,HBM通過垂直堆疊多層DRAM芯片實現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸帶寬的指數(shù)級提升。這種技術(shù)特性使其成為訓練大語言模型、處理復(fù)雜計算任務(wù)的關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施。據(jù)行業(yè)分析,HBM的單位價格至少是傳統(tǒng)DRAM的三倍,高技術(shù)壁壘與附加值正吸引更多廠商投入研發(fā)資源。

當前全球HBM市場呈現(xiàn)"一超多強"格局,SK海力士憑借技術(shù)積累與客戶粘性占據(jù)主導地位,三星電子則依托半導體全產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢加速追趕。隨著英偉達等企業(yè)持續(xù)擴大AI算力部署,HBM需求預(yù)計將保持高速增長,這場存儲芯片領(lǐng)域的技術(shù)競賽仍充滿變數(shù)。

 
 
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