聯(lián)發(fā)科近期正式加入谷歌第八代TPU項(xiàng)目，標(biāo)志著其在人工智能領(lǐng)域的技術(shù)布局邁入新階段。這一合作不僅強(qiáng)化了聯(lián)發(fā)科在定制化芯片解決方案市場(chǎng)的地位，也為其在AI生態(tài)系統(tǒng)中爭(zhēng)取到更核心的角色。公司首席執(zhí)行官蔡力行在公開活動(dòng)中透露，XPU開發(fā)面臨四大技術(shù)瓶頸：計(jì)算能力、內(nèi)存帶寬、互聯(lián)效率及先進(jìn)封裝技術(shù)，其中內(nèi)存問題尤為突出。

內(nèi)存成本已成為制約XPU發(fā)展的關(guān)鍵因素。據(jù)披露，內(nèi)存組件在XPU物料清單中的占比已攀升至50%，直接決定著系統(tǒng)的整體性能與經(jīng)濟(jì)性。蔡力行分析稱，當(dāng)前AI訓(xùn)練任務(wù)仍高度依賴高帶寬內(nèi)存（HBM），但隨著市場(chǎng)向定制化推理場(chǎng)景傾斜，DDR DRAM憑借其高密度和成本優(yōu)勢(shì)，有望在推理領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位，而SRAM則將局限于特定場(chǎng)景應(yīng)用。

這一技術(shù)轉(zhuǎn)向正推動(dòng)內(nèi)存廠商加速布局。SK海力士圍繞"AI-N"系列推出差異化方案：通過"AI-N P"提升性能、以"AI-N B"擴(kuò)展帶寬、借"AI-N D"優(yōu)化密度。其與英偉達(dá)合作的SLC NAND閃存方案已應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心，高帶寬閃存（HBF）技術(shù)則瞄準(zhǔn)大容量低功耗場(chǎng)景，形成覆蓋不同AI推理負(fù)載的技術(shù)矩陣。

三星電子則選擇深化內(nèi)存內(nèi)計(jì)算路徑。2021年推出的HBM-PIM芯片已實(shí)現(xiàn)1.2 TFLOPS的嵌入式算力，使內(nèi)存可直接承擔(dān)部分CPU/GPU任務(wù)。近期消息顯示，該公司正重啟PIM技術(shù)研發(fā)，試圖通過將計(jì)算單元集成至內(nèi)存架構(gòu)，構(gòu)建區(qū)別于傳統(tǒng)HBM的新范式。這場(chǎng)內(nèi)存與計(jì)算融合的技術(shù)競(jìng)賽，正重塑AI硬件的競(jìng)爭(zhēng)格局。