群聯電子首席執(zhí)行官潘健成近日公開表示，受人工智能（AI）技術爆發(fā)式增長影響，NAND Flash存儲芯片市場正經歷前所未有的結構性需求激增。當前公司產能僅能覆蓋客戶訂單量的30%，剩余七成需求缺口短期內難以填補，這種供需失衡直接推高了存儲芯片市場價格。

潘健成特別指出，本輪存儲市場繁榮與過往消費電子周期存在本質差異。AI數據中心建設規(guī)模擴張及智能應用落地，催生出對高容量、高性能存儲方案的持續(xù)需求，這種結構性增長特征使得市場呈現出"量價齊升"的獨特態(tài)勢。據行業(yè)數據顯示，NAND芯片價格較去年同期上漲超過45%，DRAM供應緊張更成為制約AI發(fā)展的關鍵因素。

在技術驅動層面，AI訓練產生的數據量正以指數級增長，企業(yè)客戶對存儲系統(tǒng)的容量密度和讀寫性能提出更高要求。潘健成強調，內存已成為AI基礎設施的核心組件，"沒有足夠內存支撐，再先進的算法模型也無法發(fā)揮效能"。這種技術依賴性使得存儲芯片在AI產業(yè)鏈中的戰(zhàn)略地位顯著提升。

從產業(yè)格局觀察，三星、SK海力士等頭部廠商雖已啟動擴產計劃，但受制于晶圓廠建設周期和設備交付延遲，新增產能預計要到2025年才能逐步釋放。潘健成分析認為，這種供應端滯后將使存儲芯片價格在中長期維持高位運行，為具備技術優(yōu)勢的存儲控制器廠商創(chuàng)造持續(xù)盈利空間。