在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，廈門企業(yè)瀚天天成再次取得重大技術(shù)突破。依托自主研發(fā)團(tuán)隊(duì)的持續(xù)攻堅(jiān)，該公司成功研制出全球首款12英寸高質(zhì)量碳化硅外延晶片，標(biāo)志著我國(guó)在高端半導(dǎo)體材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)關(guān)鍵跨越。

這款新型晶片采用300mm（12英寸）規(guī)格，較當(dāng)前主流的150mm（6英寸）產(chǎn)品，單片芯片承載量提升至4.4倍；與處于產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)階段的200mm（8英寸）晶片相比，產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)達(dá)2.3倍。這種尺寸擴(kuò)容帶來(lái)的效率提升，將直接推動(dòng)下游功率器件生產(chǎn)效率的顯著增長(zhǎng)，同時(shí)使碳化硅芯片單位制造成本大幅下降，為產(chǎn)業(yè)規(guī)?；瘧?yīng)用奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體具有更優(yōu)越的高頻、高壓、高溫特性，能夠顯著降低系統(tǒng)能耗并縮小設(shè)備體積重量。目前該材料已廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏發(fā)電、AI電源、軌道交通、智能電網(wǎng)及航空航天等戰(zhàn)略新興領(lǐng)域。瀚天天成的新品突破，將進(jìn)一步加速這些領(lǐng)域的技術(shù)迭代與成本優(yōu)化。

據(jù)技術(shù)參數(shù)顯示，該12英寸晶片在外延層厚度均勻性方面控制在3%以內(nèi)，摻雜濃度不均勻性≤8%，2mm×2mm芯片良率超過96%，關(guān)鍵性能指標(biāo)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。這些特性使其能夠充分滿足功率器件領(lǐng)域?qū)Ω呖煽啃缘膰?yán)苛要求。目前公司已啟動(dòng)批量供應(yīng)籌備工作，預(yù)計(jì)將快速形成市場(chǎng)供給能力。

作為中國(guó)碳化硅外延晶片商業(yè)化的先行者，瀚天天成早在2013年就實(shí)現(xiàn)3英寸產(chǎn)品量產(chǎn)，隨后陸續(xù)完成4英寸、6英寸產(chǎn)品的規(guī)模化供應(yīng)。根據(jù)灼識(shí)咨詢最新研報(bào)，該公司2023年已成為全球最大規(guī)模的碳化硅外延晶片供應(yīng)商，2024年全球市場(chǎng)份額突破31%，持續(xù)保持行業(yè)領(lǐng)先地位。

在廈門市產(chǎn)業(yè)布局中，瀚天天成扮演著第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域龍頭角色。當(dāng)?shù)匾曰鹁娓咝聟^(qū)、海滄集成電路產(chǎn)業(yè)園為核心載體，已構(gòu)建起涵蓋設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)、設(shè)備材料的全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)。士蘭微8英寸碳化硅功率器件產(chǎn)線正在加速建設(shè)，通富微電先進(jìn)封測(cè)項(xiàng)目即將投產(chǎn)，這些項(xiàng)目與瀚天天成形成上下游協(xié)同效應(yīng)，共同推動(dòng)國(guó)產(chǎn)化產(chǎn)業(yè)生態(tài)的完善。

這種集群化發(fā)展模式正在產(chǎn)生顯著成效。廈門市通過龍頭企業(yè)引領(lǐng)、配套企業(yè)協(xié)同的發(fā)展路徑，不僅培育出具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體企業(yè)，更在關(guān)鍵材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)自主可控。隨著12英寸碳化硅外延晶片的量產(chǎn)，廈門有望在全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)更有利位置。