合肥露笑半導體材料有限公司近日宣布，在第三代半導體材料領域取得重大技術突破。該公司成功制備出12英寸碳化硅單晶樣品，并完成從晶體生長到襯底加工的全流程工藝驗證，標志著其"導電型+半絕緣型"雙路線產品體系正式構建完成。

在功率電子應用領域，研發(fā)團隊通過優(yōu)化晶體生長參數(shù)耦合模型，實現(xiàn)了大尺寸晶體的低缺陷密度控制，襯底電阻率均勻性達到國際先進水平。這項突破為新能源汽車主驅逆變器、光伏逆變器等高端功率器件提供了關鍵材料支撐。在光電子應用方向，團隊攻克了半絕緣型碳化硅的高阻純度控制難題，產品表面粗糙度控制在納米級，完全滿足AR眼鏡光波導和5G射頻器件的嚴苛加工要求。

面對全球半導體產業(yè)向大尺寸發(fā)展的趨勢，合肥露笑已啟動產能擴張計劃。在現(xiàn)有合肥基地一期項目基礎上，公司將重點推進8英寸導電型襯底的規(guī)?；慨a，同時布局12英寸半絕緣型襯底的研發(fā)中試線。相關產品線將覆蓋新能源汽車電控系統(tǒng)、智能電網、消費電子等戰(zhàn)略新興領域，有效緩解國內高端碳化硅襯底依賴進口的局面。

公司技術負責人透露，通過持續(xù)三年的技術攻關，團隊在晶體生長熱場設計、缺陷控制等核心環(huán)節(jié)形成自主知識產權體系，部分指標已超越國際同類產品。隨著新產線的逐步投產，預計上半年營業(yè)收入將實現(xiàn)跨越式增長。未來將持續(xù)深化與上下游企業(yè)的協(xié)同創(chuàng)新，推動碳化硅材料在更多領域的國產化替代進程。