根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的存儲(chǔ)器市場(chǎng)價(jià)格調(diào)查報(bào)告，2026年第二季度全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)將迎來顯著價(jià)格波動(dòng)。其中，DRAM領(lǐng)域因主要供應(yīng)商加速產(chǎn)能結(jié)構(gòu)調(diào)整，將資源向高帶寬內(nèi)存（HBM）和服務(wù)器級(jí)產(chǎn)品傾斜，同時(shí)通過差異化定價(jià)策略縮小產(chǎn)品線價(jià)差，推動(dòng)整體價(jià)格上行。盡管終端消費(fèi)電子需求存在放緩風(fēng)險(xiǎn)，但標(biāo)準(zhǔn)型DRAM（Conventional DRAM）合約價(jià)格仍預(yù)計(jì)環(huán)比增長(zhǎng)58%至63%，創(chuàng)下近年單季最大漲幅。

NAND Flash市場(chǎng)則延續(xù)AI算力需求驅(qū)動(dòng)的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。數(shù)據(jù)中心建設(shè)加速與生成式AI應(yīng)用普及，帶動(dòng)全產(chǎn)品線呈現(xiàn)連鎖漲價(jià)效應(yīng)。報(bào)告指出，第二季度NAND Flash整體合約價(jià)格漲幅將達(dá)70%至75%，其中企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤（SSD）和高端存儲(chǔ)卡類產(chǎn)品漲幅最為顯著。值得關(guān)注的是，部分供應(yīng)商已開始調(diào)整產(chǎn)能分配，優(yōu)先保障AI服務(wù)器等高毛利訂單，進(jìn)一步加劇了消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品的供應(yīng)緊張局面。

行業(yè)分析認(rèn)為，本輪存儲(chǔ)芯片漲價(jià)潮具有明顯的結(jié)構(gòu)性特征。DRAM市場(chǎng)受HBM技術(shù)迭代影響，傳統(tǒng)產(chǎn)品產(chǎn)能持續(xù)收縮，而NAND Flash則因AI數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求爆發(fā)形成持續(xù)支撐。兩大市場(chǎng)雖同處漲價(jià)周期，但驅(qū)動(dòng)邏輯存在差異：DRAM價(jià)格更多反映供給側(cè)改革成效，NAND Flash漲幅則直接對(duì)應(yīng)需求側(cè)爆發(fā)式增長(zhǎng)。這種分化態(tài)勢(shì)預(yù)計(jì)將持續(xù)至2026年下半年，直到新增產(chǎn)能逐步釋放。