近期，閃存市場迎來新一輪價格波動，部分產(chǎn)品價格漲幅接近40%。根據(jù)CFM閃存市場監(jiān)測數(shù)據(jù)，1Tb QLC閃存價格攀升至12.50美元，較此前上漲25%；同規(guī)格TLC產(chǎn)品價格漲至13美元，漲幅達23.81%；512Gb TLC產(chǎn)品以38.46%的漲幅領(lǐng)跑，單價升至9美元；256Gb TLC產(chǎn)品則上漲14.58%至5.50美元。

在小米集團近日舉行的業(yè)績電話會上，公司總裁盧偉冰針對存儲成本攀升問題作出回應(yīng)。他指出，本輪內(nèi)存價格上漲呈現(xiàn)長期化特征，主要驅(qū)動力來自AI技術(shù)引發(fā)的HBM（高帶寬存儲器）需求激增，而非傳統(tǒng)消費電子行業(yè)的周期性波動。為應(yīng)對供應(yīng)鏈壓力，小米已與合作伙伴簽訂2026年全年供應(yīng)協(xié)議，并通過產(chǎn)品升級和價格調(diào)整策略緩解成本壓力。

作為半導(dǎo)體存儲器的核心組成部分，閃存與DRAM形成互補關(guān)系。前者采用非易失性技術(shù)，斷電后仍可保存數(shù)據(jù)，廣泛應(yīng)用于手機、電腦等設(shè)備的存儲模塊；后者作為動態(tài)隨機存取存儲器，主要用于計算機內(nèi)存，但數(shù)據(jù)在斷電后會丟失。當(dāng)前市場主流的NAND閃存以存儲單元（Cell）為基本單位，根據(jù)每個單元存儲的數(shù)據(jù)位數(shù)劃分為QLC和TLC兩類技術(shù)路線。

QLC技術(shù)每個存儲單元可容納4位數(shù)據(jù)，憑借高容量特性成為數(shù)據(jù)中心和固態(tài)硬盤的主流方案；TLC技術(shù)每個單元存儲3位數(shù)據(jù)，因成本優(yōu)勢占據(jù)消費電子市場主導(dǎo)地位，常見于智能手機、筆記本電腦的固態(tài)硬盤及U盤等設(shè)備。這兩種技術(shù)共同支撐起全球存儲市場的供需格局。

本輪價格異動源于供需兩端的雙重擠壓。供給端方面，三星、SK海力士、鎧俠、美光等頭部企業(yè)自今年下半年起集體削減NAND晶圓產(chǎn)量。數(shù)據(jù)顯示，三星三至四季度的投入量同比減少15%，SK海力士降幅達20%，鎧俠和美光分別下調(diào)12%和18%。與此同時，為搶占AI存儲市場，多家廠商將傳統(tǒng)TLC產(chǎn)線改造為QLC工藝，進一步壓縮常規(guī)NAND產(chǎn)能。

需求端則呈現(xiàn)爆發(fā)式增長態(tài)勢。隨著AI技術(shù)加速落地，數(shù)據(jù)中心對存儲容量的需求激增。單臺AI服務(wù)器的NAND使用量達到傳統(tǒng)服務(wù)器的三倍，推動大容量固態(tài)硬盤需求飆升。科技企業(yè)為保障業(yè)務(wù)連續(xù)性，紛紛加大NAND配額采購力度，部分供應(yīng)商明年的供貨份額已被提前鎖定，供需失衡直接推高市場價格。

存儲模組廠商威剛科技董事長陳立白在近期活動中坦言，當(dāng)前四大類存儲產(chǎn)品集體出現(xiàn)缺貨漲價現(xiàn)象，這種情況在其三十余年職業(yè)生涯中實屬罕見，給行業(yè)運營帶來顯著挑戰(zhàn)。