在近期一場面向全球投資者的線上交流活動中，全球存儲芯片巨頭SK海力士向高盛集團(tuán)釋放了重要行業(yè)信號。據(jù)公司管理層透露，當(dāng)前存儲芯片市場已徹底轉(zhuǎn)向供應(yīng)主導(dǎo)格局，AI算力需求激增與潔凈室產(chǎn)能限制的雙重作用，正推動存儲產(chǎn)品價格進(jìn)入持續(xù)上行通道。這一判斷基于當(dāng)前DRAM及NAND閃存庫存水平已降至歷史低位，公司現(xiàn)有庫存僅能維持約四周的客戶交付需求。

行業(yè)分析指出，HBM（高帶寬內(nèi)存）的供需失衡正在重塑整個存儲市場格局。隨著2026年HBM產(chǎn)能被提前鎖定，標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品出現(xiàn)結(jié)構(gòu)性短缺，供應(yīng)商在價格談判中的話語權(quán)顯著增強(qiáng)。產(chǎn)業(yè)鏈消息顯示，多家下游企業(yè)已啟動長期供應(yīng)協(xié)議談判，試圖通過鎖定未來產(chǎn)能應(yīng)對可能出現(xiàn)的供應(yīng)危機(jī)。這種供需錯配在AI服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等高端應(yīng)用領(lǐng)域表現(xiàn)得尤為突出。

SK海力士在交流中明確表示，即便采取產(chǎn)能最大化策略，今年仍無法完全滿足所有客戶的訂單需求。公司特別指出，AI訓(xùn)練所需的超大容量存儲芯片需求遠(yuǎn)超預(yù)期，而潔凈室建設(shè)周期長、設(shè)備調(diào)試復(fù)雜等客觀因素，進(jìn)一步加劇了供應(yīng)緊張局面。這種局面在HBM3E等新一代產(chǎn)品上尤為明顯，其單位面積存儲密度較前代提升40%，但良率爬坡速度難以匹配需求增長。

市場研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2024年第一季度DRAM合約價已較去年同期上漲23%，NAND閃存價格漲幅達(dá)18%。這種漲價趨勢在第二季度呈現(xiàn)加速態(tài)勢，部分企業(yè)級SSD產(chǎn)品報價單周漲幅超過5%。行業(yè)觀察家認(rèn)為，隨著英偉達(dá)GB200等新一代AI芯片量產(chǎn)，HBM3E需求將在下半年出現(xiàn)指數(shù)級增長，可能引發(fā)新一輪漲價潮。

供應(yīng)鏈消息顯示，三星、美光等主要廠商已同步調(diào)整產(chǎn)能分配，將更多資源轉(zhuǎn)向高毛利產(chǎn)品。這種策略性調(diào)整導(dǎo)致消費(fèi)級存儲產(chǎn)品供應(yīng)進(jìn)一步收緊，筆記本電腦、智能手機(jī)等終端產(chǎn)品可能面臨成本壓力。部分PC廠商已開始考慮采用QLC NAND替代TLC方案，以緩解成本上漲帶來的利潤擠壓。